感應(yīng)加熱設(shè)備通常的簡(jiǎn)易12v高頻加熱電路圖
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感應(yīng)加熱設(shè)備簡(jiǎn)易12v高頻加熱電路圖，高頻感應(yīng)加熱電源驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案中，我們使用芯片IR2llO用于該種驅(qū)動(dòng)半橋串聯(lián)諧振逆變器的電路設(shè)計(jì)
電路系統(tǒng)中，VD是自舉二極管，采用恢復(fù)時(shí)間幾十納秒、耐壓在500V以上的超快恢復(fù)二極管10Ia16。CH是自舉電容，采用0.1μF的陶瓷圓片電容。CL是旁路電容，采用一個(gè)0.1μF的陶瓷圓片電容和1μF的鉭電容并聯(lián)DD、VCC分別是輸入級(jí)邏輯電源和低端輸出級(jí)電源，它們使用同一個(gè)+12V電源，而VB是高端輸出級(jí)電源，它與VCC使用同一電源并通過(guò)自舉技術(shù)來(lái)產(chǎn)生。在這里由于考慮到了在功率MOSFET漏極產(chǎn)生的浪涌電壓會(huì)通過(guò)漏柵極之間的米勒電容耦合到柵極上擊穿柵極氧化層，所以在T1、T2的柵源之問(wèn)接上12V穩(wěn)壓管D1、D2以限制柵源電壓，以此來(lái)保護(hù)功率M0SFET。
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